专利摘要:

公开号:WO1979000432A1
申请号:PCT/CH1978/000055
申请日:1978-12-22
公开日:1979-07-12
发明作者:A Neracher
申请人:Battelle Memorial Institute;A Neracher;
IPC主号:H01S3-00
专利说明:
[0001] LASER IMPULSIONNEL A MILIEU ACTIF GAZEUX EXCITE ELECTRIQUEMENT
[0002] Domaine technique
[0003] La presente invention a pour objet un laser impulsion- nel ä milieu actif gazeux excite electriquement. Technique anterieure L'obtention de l'effet laser dans de nombreux milieux actifs ä gaz moleculaire, ä vapeur metallique ou ä excimer exige, ainsi qu'il est connu, 1'utilisation de methodes de pompage capables de permettre la liberation d'une energie de pompage tres elevee dans un laps de temps tres court (quelques nanosecondes) . On connait deja un certain riombre de methodes de pompage capables de procurer un tel effet, parmi lesquelles les plus utilisees consistent ä generer des decharges electriques sous tres fort cour.ant (quelques dizaines ä quelques centaines de kA) au sein du milieu ac- tif. De telles methodes d'excitation electrique sont essen- tiellement mises en oeuvre selon deux odes principaux, ä savoir un mode d'excitation longitudinal du gaz (suscepti¬ ble d'etre realise au moyen de deux electrodes placees ä chacune des extremites de la cavite laser) et un mode d'ex- citation transversal du gaz (susceptible d'etre realise au moyen de deux electrodes disposees parallelement ä 1*axe optique de la cavite) .
[0004] Un certain nombre de dispositifs ä. excitation electri- que longitudinale ou transversale ont deja ete developpes jusqu'ä ce jour, et notamment des dispositifs bases sur l'utilisation de systemes dits "ä transfert de charge". Ces systemes "ä transfert de charge", qui ont pour fonction es- sentielle de vehiculer jusqu'aux electrodes l'impulsion electrique haute tension chargee de declencher l'emission stimulee au sein de la cavite laser, sont generalement cons titues par un assemblage approprie de condensateurs con- ventionnels comprenant un isolant ä bas coefficient dielec- trique (en general du Mylar) . Cependant, avec tous ces dis¬ positifs "ä transfert de charge" conventionnels se posent des problemes d'adaptation entre le circuit de pompage et le gaz, et notamment des problemes de reduction de 1'imp§- dance du circuit de decharge, ainsi que des problemes d'ob- tention de temps de montee dans les impulsions haute tensio qui soient compatibles avec les courtes durees de vie des transitions laser. Les Solutions adoptees ä l'heure actuell pour resoudre ces differents problemes, et notamment pour permettre l'obtention d'un stockage süffisant d'energie ele trique, conduisent ä la realisation de dispositifs de gran- des dimensions, ce qui presente 1'inconvenient majeur d'oc- casionner un encombrement relativement important et de n'of frir qu'une maniabilite des plus reduites. Expose de l'invention La presente invention a precise ent pour but de reme- dier au moins partiellement aux inconvenients susmentionnes en proposant une conception dite "integree" qui permet d'ob tenir un laser particulierement compact.
[0005] A cet effet, la presente invention a pour objet un la- ser impulsionnel ä milieu actif gazeux excite electriquemen caracterise par le fait qu'il comprend :
[0006] - un premier et un second blocs faits en un materiau ä haut coefficient dielectrique, comportant chacun deux fa- ces d'extremites, lesdits blocs etant agences l'un par rap- port ä. l'autre de fagon ä se faire vis-ä-vis par l'une de leurs faces d'extremite en delimitant un espace etroit entre lesdites faces d'extremites,
[0007] - une premiere armature mδtallique s 'etendant dans le- dit espace etroit entre lesdits blocs diälectriques tout en restant en contact avec l'une et l'autre faces d'extremites desdits blocs se faisant vis-ä-vis, ladite premiere armatu¬ re metallique comportant au moins une portion faisant sail¬ lie dans la direction dudit second bloc dielectrique,
[0008] - une seconde armature metallique disposee contre l'au¬ tre face d'extremite dudit premier bloc dielectrique oppo- see ä ladite premiere armature, constituant en cooperation avec ledit premier bloc dielectrique et ladite premiere ar¬ mature au moins un premier condensateur,
[0009] - une troisieme armature metallique disposee contre l'autre face d'extremite dudit second bloc dielectrique op- posee ä ladite premiere armature, constituant en coopera¬ tion avec ledit second bloc dielectrique et ladite premiere armature au moins un second condensateur, ladite troisieme armature metallique comportant au moins une portion faisant saillie en direction de ladite portion saillante de ladite premiere armature metallique, l'espace ainsi delimite entre lesdites portions saillantes desdites premiere et troisieme armatures constituant la cavite dudit laser destinee ä con- tenir ledit milieu actif gazeux, et les extr€mites libres desdites portions saillantes constituant les electrodes chargees d'assurer l'excitation electrique dudit milieu ac¬ tif gazeux,
[0010] - des oyens pour maintenir ledit milieu actif gazeux dans ladite cavite,
[0011] - une resistance de charge connectee entre lesdites premiere et troisieme armatures metalliques, ladite seconde armature metallique etant par ailleurs destinee ä etre re- liee ä l'un des pδles d'une source haute tension dont l'au¬ tre pole est destine ä. etre relie ä ladite troisieme arma¬ ture metallique, de fagon ä assurer la charge electrique dudit premier condensateur,
[0012] - et un Organe de decharge dέclenchable connecte entre
[0013] O PI ■ WIP0 lesdites seconde et troisieme armatures, destinE ä assurer la mise en court-circuit au moins momentanee de ces armatu res, de facon ä entralner un transfert de charge dudit pre mier audit second condensateur, ledit transfert de charge donnant alors lieu ä 1'Etablissement entre lesdites electr des de ladite cavite laser d'une difference de potentiel suffisamment rapide et elevee pour engendrer une Emission stimulee au sein de cette cavite.
[0014] On voit ainsi, dans le laser qui vient d'etre defini, que c'est l'utilisation de blocs faits en un materiau ä haut coefficient dielectrique, combinee avec l'agencement particulier des differents Elements constitutifs du laser par rapport ä ces blocs dielectriques qui permet d'obtenir une forme de laser dite "intEgrEe". De maniere prEfErentielle, on utilisera co me blocs ä haut coefficient diElectrique des blocs faits en un matE riau ayant un coefficient diElectrique superieur ä 80. Comme matEriaux dielectriques susceptibles de rEpondre ä cette exigence, on pourra utiliser des matEriaux diElectri ques ferroElectriques tels que le titanate de baryum pur o des matEriaux ä base de titanate de baryum dopEs avec des
[0015] ElE ents tels que Pb(Ti,Zr)0_; BaO-TiO_-Al,0,; PbZrO--,;
[0016] 3+ 5+ PbHfO-; PbTiO_; CaTiO_; La ; Nb ; etc ... Comme ma¬ tEriaux diElectriques possibles, on pourra Egalement utili
[0017] * ser des materiaux tels que TiO ; KDP; KD P (dideutErosphos phate de potassium) ; LiNbO_; etc... De maniere particulie- rement avantageuse, les matEriaux susmentionnEs seront uti lisEs sous forme de cEra iques.
[0018] Ces blocs diElectriques pourront par ailleurs revetir des formes tres diverses telles que forme cylindrique, for me parrallElEpipEdique, forme cubique, forme prismatique ( section droite triangulaire, ou trapezoϊdale, ou encore ä contour plus compliquE) , ou encore forme cylindrique ä sec tion droite non circulaire. L'essentiel est que de tels blocs prEsentent au moins deux faces d'extrEmitEs opposEes sur lesquelles puissent etre adaptEes des armatures mEtal-
[0019] __O liques appropriEes, en vue de rEaliser les structures "ä transfert de Charge" dEsirees. L'Epaisseur de ces blocs die¬ lectriques (ä savoir distance sEparant les faces d'extrEmi- tEs opposEes de ces blocs) sera en outre choisie en fonc- tion de la rigiditE dielectrique du matEriau utilisE de fagon ä pouvoir tenir aux hautes tensions appliquEes (ces tensions pouvant etre comprises entre 1 et 100 kV) . La ri¬ giditE dielectrique des matEriaux susmentionnes Etant en gEnEral plus faible que celle des matEriaux dielectriques usuels tels que le mylar, l'Epaisseur adoptEe pour de tels blocs diElectriques sera gEnEralement supErieure (en gEnE¬ ral d'un ordre de grandeur plus ElevE) . Cependant, le coef¬ ficient diElectrique de ces matEriaux Etant considerablement plus ElevE, les sections droites de ces blocs diElectriques pourront avoir, ä Energie stockee Egale, des dimensions no- tablement infErieures ä celles requises par les systemes "ä transfert de charge" conventionnels (on sait en effet, que la capacitE d'un condensateur est respectivement pro¬ portionnelle au coefficient diElectrique et ä la surface et inverse ent proportionnelle ä l'Epaisseur) . Ces rEductions de surface pouvant aller jusqu'ä trois ordres de grandeur, on constate ä l'Evidence qu'on peut ainsi obtenir de nota¬ bles reductions d'encombrement, et donc des lasers particu- lierement compacts. L'utilisation de matEriaux ä hauts coefficients diE¬ lectriques se traduit par ailleurs par une rEduction nota¬ ble de 1'impEdance caracteristique des systemes "ä trans¬ fert de charge". Une teile rEduction de 1'impEdance carac¬ teristique permet notamment d'obtenir une vitesse de montEe en courant plus rapide dans la cavitE laser, d'oü il en rE- sulte une densite et une temperature electroniques ainsi qu'un taux d'inversion de population plus Eleves, ce qui se traduit globalement par une augmentation du rendement et de la puissance crete du laser. On sait par ailleurs que la cavitE laser doit avoir une longueur minimum pour qu'il s'y produise une Emission stimulEe. Des Etudes recentes ont ontrE que cette valeur seuil est inverse ent proportionnelle ä la densitE initiale d'inversion de population. II s'ensuit donc que la diminu- tion de 1'impEdance caractEristique de la ligne a pour avan tage additionnel d'entrainer une diminution de cette lon- gueur seuil, ce qui va Egalement dans le sens d'une rEducti de 1'encombrement. Les Etudes susmentionnEes ont Egalement per is de montrer qu'il existe une relation non-lineaire entre la puissance crete de sortie et la longueur de la ca- vitE, cette puissance crβte augmentant tout d'abord de ma¬ niere exponentielle, puis de maniere linEaire, et enfin at- teignant une valeur de Saturation au für et ä mesure que la longueur de la cavitE augmente. On voit ainsi, contrairemen ä ce qui Etait genEralement admis, qu'il n'est pas nEcessai d'avoir de grandes longueurs de cavitE pour obtenir des va- leurs de puissance de crete acceptables.
[0020] II est connu par ailleurs en ce qui concerne les matE¬ riaux cEramiques, que la valeur de leur coefficient diElec¬ trique dEpend de la tempErature, cette valeur atteignant un maximum dans les gammes de tempErature voisines de leur point de Curie. On utilisera donc, de maniere avantageuse, des materiaux ayant un point de Curie proche ou lEgerement supErieur ä la temperature ambiante, de fagon ä Eviter de devoir recourir ä l'emploi d'enceintes thermostatEes. De maniere prEfErentielle, on utilisera par ailleurs des matE¬ riaux ayant un point de Curie sensiblement supErieur ä la tempErature ambiante dans les cas oü l'on envisage de faire travailler ces matEriaux ä des frEquences de rEcurrence ElevEes (ces matEriaux atteignant en effet une tempErature de fonctionnement sensiblement supErieure ä la tempErature ambiante du fait de 1'Echauffement rEsultant des cadences rEpEtitives) . La valeur dEsirEe du point de Curie peut etre obtenue, de maniere connue, par un dopage appropriE de ces matEriaux. On pourra Egalement, dans certains cas particu- liers, envisager d'utiliser des matEriaux ayant un point de Curie tres infErieur ä la temperature ambiante (par exemple KDP dont le haut coefficient diElectrique ä -150°C permet la conception d'une structure ultra-compacte) , en prEvoyant la prEsence d'une enceinte thermostatEe dans laquelle on pourra faire rEgner la tempErature dEsirEe au moyen par exemple de cellules Peltier ä faible conso mation Electri¬ que.
[0021] Comme milieux actifs gazeux susceptibles de donner lieu ä des Emissions sti ulEes, on pourra utiliser des milieux gazeux tres divers tels que des gaz purs (par exemple l'hy- drogene, l'azote, le deutenium, le nEon, etc ...), des gaz molEculaires (par exemple l'oxyde de carbone, le gaz carbo- nique, etc ...), des mElanges de gaz (par exemple mElange hElium-azote, mElange azote-fluorure, l'air, etc ...), des
[0022] * * * * * gaz excimer (par exemple KrF , XeF , ArCl , ArF , KrCl , etc ...), ou des vapeurs mEtalliques. De maniere avantageu- se, les diffErents gaz ou melanges de gaz susmentionnEs sont utilises sous des pressions comprises entre 10 -3 torr et 30 bars. II est prEferable, lorsqu'on desire obtenir le plus grand nombre possible de molecules excitables dans un volume de cavitE dEter inEe, de travailler sous des pres¬ sions atmosphEriques ou pluri-atmosphEriques. II peut ce- pendant s'averer souhaitable dans certains cas particuliers de travailler sous des pressions nettement infErieures ä la pression atmosphErique. On sait que pour obtenir une Emission stimulEe dans un gaz, il faut avoir un rapport E/p (E dEsignant le champ Elec¬ trique transitoire s'Etablissant dans la cavite et p la pres¬ sion rEgnant dans cette cavitE) situE dans une ga me de va- leurs environ comprise entre 50 et 300 Volts/cmtorr. Il convient donc, suivant la pression choisie, d'adapter en consEquence l'Ecartement entre les electrodes et/ou la ten¬ sion appliquEe, de fagon ä obtenir le rapport E/p appropriE. Breve descrjption des dessins Le dessin annexE illustre schEmatiquement et ä titre d'exemple, deux formes d'exEcution du laser, objet de la prEsente invention. La figure 1 est une vue en coupe transversale, illus- trant la premiere forme d'exEcution.
[0023] La figure 2 est une vue en coupe longitudinale selon l'axe II-II de la figure 1. La figure 3 est une vue en coupe longitudinale selon l'axe III-III de la figure 1.
[0024] La figure 4 est une vue en coupe d'un premier dEtail, aggrandi, de la figure 1.
[0025] La figure 5 est une vue en coupe d'un second dEtail, aggrandi, de la figure 1.
[0026] La figure 6 est un schEma du circuit Electrique Equi- valent de cette premiere forme d'exEcution.
[0027] La figure 7 est une vue en coupe diamEtrale, illustran la seconde forme d'exEcution. La figure 8 est une vue en coupe selon l'axe VIII-VIII de la figure 7.
[0028] La figure 9 est un schEma du circuit Electrique Equiva lent de cette seconde forme d'exEcution.
[0029] Meilleures manieres de rEaliser 1'invention La forme d'exEcution reprEsentEe aux figures 1 ä 6 se rapporte ä un agencement du type "transfert de Charge sim¬ ple". Cette forme d'exEcution comprend un boϊtier mEtalli- que Etanche 23, se composant d'un rEcipient parrallElEpipE- dique 4 ouvert ä sa partie supErieure et d'un couvercle plat rapportE 4a fixE sur cette partie supErieure (couver¬ cle 4a en contact Electrique Etroit avec le rEcipient 4) . A 1'intErieur du boitier 23 se trouvent disposEs, respec- tive ent, un premier bloc parrallElEpipEdique 10 reposant par sa face infErieure sur le fond du rEcipient 4, ledit bloc 10 Etant fait en un matEriau ä haut coefficient diE¬ lectrique (par exemple cEra ique de titanate de baryum) ; une premiere plaque mEtallique rectangulaire 11 recouvrant la face supErieure du bloc 10; un second bloc parallElEpi- pEdique 7 reposant sur la plaque 11, fait en un matEriau diElectrique identique ä celui du bloc 10, dont l'Epais¬ seur est sensiblement Egale ä la moitiE de celle du
[0030] 0A1 - - bloc 7; et une seconde plaque metallique rectangulaire 12 recouvrant la face supErieure du bloc 7, cette plaque 12 restant ä distance du couvercle 4a. L'ehsemble constituE par le bloc diElectrique 7 et les plaques mEtalliques 12 et 11 est ainsi destine ä constituer un premier condensateur C, , cependant que l'ensemble constituE par le bloc dielec¬ trique 10, la plaque mEtallique 11 et le fond du rEcipient 4 est destine ä constituer un second condensateur C„ (dont les rδles seront expliquEs plus loin) . La plaque mEtallique 11, qui constitue ainsi une Electrode commune aux deux con¬ densateurs C, et C_, est reliEe Electriquement par 1'inter- mEdiaire d'une rEsistance 9 (de l'ordre de 100 ä 1000 ) , au boitier 23 (cette rEsistance 9 pouvant eventuellernent - etre remplacee par une seif) . L'un des bords longitudinaux de la plaque mEtallique 11 comporte un rebord mEtallique 1 qui vient se piaquer contre la face latErale correspondante du bloc diElectrique 10 en pointant en direction du fond du rEcipient 4, cependant jue le fond de ce rEcipient 4 comporte, au droit du rebord 1, une nervure mEtallique longitudinale 2 qui vient Egalement se piaquer contre la meme face latErale du bloc 10 en poin¬ tant en direction du rebord 1, les extrEmitEs libres du rebord 1 et de la nervure 2 qui se fönt vis-ä-vis prEsentant une forme arrondie. Contre la face exterieure du rebord 1 et de la nervure 2 se trouve par ailleurs plaquEe une lame isolante rectangulaire 6 (faite par exemple en verre, en matiere plastique ou en un materiau ceramique) ayant pour fonction d'eviter tout claquage entre le rebord 1 et la portion avoisinante du boϊtier 4. L'espace longitudinal ainsi dElimite entre le rebord 1 et la nervure 2 est desti¬ ne ä constituer, en coopEration avec la lame isolante 6 et la portion correspondante de la face latErale du bloc 10, la cavitE 5 du laser, les extrEmitEs libres du rebord 1 et de la nervure 2 constituant par ailleurs les Electrodes chargees d'assurer 1" tablissement d'une decharge lectri¬ que transversale au sein de cette cavitE 5. Le rebord 1 et
[0031] 0MPI
[0032] A< W1P0 > - -
[0033] la nervure 2 prEsentent par ailleurs chacun (fig.4), du cδtE du bloc 10, des Epaulements longitudinaux la et 2a dans lesquels sont disposEes des Electrodes "corona" 3 char gEes d'assurer la prEionisation de la cavitE laser. Ces Electrodes "corona" 3 sont constituEes de fagon connue par des bandes mEtalliques rectilignes (par exemple en acier trempE) prEsentant un bord libre en forme de lame extreme- ment fine.
[0034] Au travers du couvercle 4a et sensiblement au centre de ce dernier, se trouve montE un bloc mEtallique cylindri¬ que 13, maintenu en contact Electrique Etroit ave'c le cou¬ vercle 4a. Ce bloc 13 comporte une extrEmitE arrondie qui fait saillie a 1'intErieur du boϊtier en direction de la plaque mEtallique 12, 1'Intervalle sEparant cette extrEmitE arrondie de la plaque 12 Etant susceptible d'etre rEglE en faisant coulisser le bloc 13. Le bloc 13 est par ailleurs (fig.5) traversE axialement par une tige mEtallique 14 iso- lEe Electriquement du bloc 1*3 au moyen d'une gaine isolante 14a. L'une des extrEmitEs de cette tige 14 vient affleurer 1'extrEmitE du bloc 13 qui fait saillie ä 1'intErieur du boϊtier 23, cependant que son autre extrEmitE est reliee Electriquement ä un gEnErateur d'impulsion haute tension 19. L'extrEmitE arrondie du bloc mEtallique 13 et la portio de plaque 12 qui se fönt vis-a-vis constituent ainsi les deux bornes d'un Eclateur E chargS d'assurer l'amorgage de la dEcharge Electrique, la tige 14 constituant par ailleurs de fagon connue l'Electrode de dEclenchement de cet Eclateu E.
[0035] Au travers d'une autre portion du couvercle 4a se trou ve montE un bloc isolant 15 fait en un matEriau ä haute te- nue diElectrique (Delrin, Teflon, etc ...). Ce bloc isolant 15 est traversE de part en part par un doigt mEtallique 16 dont l'une des extrEmitEs appuie fortement contre la plaque mEtallique 12. L'autre extrEmitE de ce doigt mEtallique 16 est reliEe Electriquement par 1'intermEdiaire d'une rEsis¬ tance de charge 17 ä l'un des pδles d'une source haute
[0036] OM - " ΪP tension continue 18 dont l'autre pδle se trouve relie au boϊtier 13 par une connexion 18a (cette connexion; 18a etant elle-mime reliee ä la masse) . La fonction de ce doigt mEtal¬ lique 16 reliE a la source 18 est donc d'assurer la charge du condensateur C, . Les parois latErales du bloc diElectri¬ que 7 constitutif du condensateur C-, sont recouvertes d'une gaine isolante 8 (par exemple en silicone) , destinEe ä em- pecher toute reptation superficielle du courant entre les Electrodes 11 et 12. La cavite laser 5 est par ailleurs EquipEe d'un rEso- nateur formE de deux miroirs disposes ä chacune des extrE¬ mitEs de cette cavitE, respectivement un premier miroir to- talement rEflecteur 20 montE ä l'arriere de la cavitE (con¬ tre la paroi latErale correspondante du boϊtier 4) et un second miroir-fenetre semi-transparent ou transparent 21 (ä la longueur d'onde considErEe) monte ä l'avant de la cavitE (dans un flasque-support 22 traversant la paroi latErale cor¬ respondante du boϊtier 4, ce flasque-support 22 pouvant etre fixe ou rEglable selon les cas) . Le boϊtier 23 est enfin respectivement muni (fig. 5) d'un conduit d'entrEe du gaz 25 enagE dans la gaine iso¬ lante 14a du bloc 13 de 1'eclateur E, et d'un conduit de sortie de gaz 24 mEnagE au travers du couvercle 4a. Le con¬ duit d'entrEe 25 est destinE ä permettre 1'introduction du milieu actif gazeux lasErable sous une pression dEterminEe ä l'interieur du boϊtier 23 (et plus specialement ä 1'intE- rieur de la cavitE 5) ; ce conduit 25 dEbouche de maniEre avantageuse au niveau de 1'extrEmitE libre de 1'electrode de dEclenchement 14, de fagon ä ce que le flux gazeux sor- tant de ce conduit 25 puisse souffler en direction de la plaque 12 l'arc Electrique gEnErE par le dEclencheur 19 de maniere ä provoquer une bonne prEionisation. Le dEbit du gaz evacuE par l'orifice de sortie 24 est susceptible d'etre rEgle. La presence de ce gaz ä l'interieur du boϊtier 23 a pour effet, outre le fait de permettre 1'Emission laser dans la cavitE 5, de contribuer ä l'isolation Electrique de l'ensemble du boϊtier 23 et plus particulierement au ni- veau de 1' clateur E.
[0037] La figure 6 reprEsente le Schema du circuit Electrique Equivalent du laser qui vient d'etre dEcrit. Ce schEma per- met de mieux comprendre le fonctionnement de ce laser, qui est le suivant : la source haute tension 18 Etant branchEe, le condensateur C, se Charge rapidement par 1'intermEdiaire du doigt de Charge 16 (l'armature supErieure 12 se trouvant au potentiel de la source 18 en fin du cycle de Charge, et 1'armature infErieure 11 au potentiel de la masse) , cepen¬ dant que le condensateur C„ reste completement dEchargE (armatures toutes deux au potentiel de la masse en fin du cycle de charge de C. ) . Au moment desirE, on active le gE- nErateur 19 qui envoie une impulsion haute tension sur l'E- lectrode de dEclenchement 14, ce qui a pour effet de provo- quer l'amorgage de 1'Eclateur E et de rendre ainsi ce der- nier conducteur. Le condensateur C, se dEcharge alors brus- quement, par 1'intermEdiaire de 1'Eclateur E rendu conduc¬ teur et des parois du boϊtier 23, dans le condensateur C- qui se trouve alors brusquement chargE. L'armature supE¬ rieure 11 de ce condensateur C_ reste en effet sensiblement au potentiel de la masse, du fait de la prEsence de la rE¬ sistance 9 qui bloque tout transfert de Charge entre le boϊ tier 23 et l'armature 11, cependant que l'armature infErieu re constituEe par le fond de l'enceinte est portEe ä un po¬ tentiel transitoire qui dEpend de la tension de la source 18 ainsi que des valeurs respectives des capacitEs des con¬ densateurs C- et C„. La capacitE du condensateur C, est choisie supErieure ä celle du condensateur C2 (Egale au double dans la forme d'exEcution dEcrite, Etant donnE l'E¬ paisseur oitiE) , de maniEre ä compenser les pertes de con- duction de 1'eclateur E lors du transfert de charge.
[0038] La diffErence de potentiel qui apparaϊt ainsi entre les armatures du condensateur C2, et donc entre les Elec- trodes 1 et 2 de la cavitE laser 5, a pour effet d'entraϊ- ner la production ä 1'intErieur de la cavitE 5 d'une dEchar ge electrique transversale de tres forte intensit et de tres courte duree (en fait preionisation de la cavitE düe aux Electrodes corona 3, suivie d'une decharge principale entretenue par la dEcharge du condensateur C . Le milieu actif gazeux ainsi excitE par la decharge Electrique donne alors lieu ä la production d'une Emission stimulEe (qui peut etre ou non superradiante) . On obtient ainsi une im¬ pulsion lumineuse laser (sσhEmatisEe au dessin par la fle- che 26) qui sort par la fenetre 21 apres avoir progressE le long de l'axe longitudinal de la cavitE 5.
[0039] La dEcharge Electrique une fois terminEe (les condensa¬ teurs C, et C_ Etant alors completement dEchargEs) , 1'Ecla¬ teur E se desamorce et le condensateur C, se Charge ä nou- veau. Le laser est alors pret pour la gEnEration d'une nou- velle impulsion lumineuse laser. Ces impulsions peuvent etre produites de maniere rEcurrente par activation pEriodique de l'Electrode de dEclenchement 14.
[0040] Exemple
[0041] A titre d'exemple, on peut rEaliser une structure de laser analogue ä celle sus-dEcrite, qui prEsente les carac- tEristiques suivantes :
[0042] Caracteristiques mecaniques et electriques
[0043] Dimension des blocs cEramiques : Largeur = 60 mm Longueur = 80 mm Hauteur = 12 mm (pour bloc 7) - 24 mm (pour bloc 10)
[0044] Dimension de la ca¬ vitE 5 : Largeur = 8 mm (epaisseur) des Electrodes)
[0045] Hauteur = 8 mm (distance entre Electrodes)
[0046] Longueur = 80 mm
[0047] Electrode corona Epaisseur= 2/10 mm
[0048] Tension de charge maxima : 20 a 30 kV - 14 -
[0049] CaractEristiques d' mission laser
[0050] Gaz : N_ ä 1 bar
[0051] Longueur d'onde de 1'Emission : 3371 £
[0052] 4 FrEquence de reccurrence : 1 ä 10 hertz DurEe impulsion laser : 1 ä 2 nanosecondes
[0053] Energie de 1'impulsion : 300 microjoules
[0054] Les caractEristiques susmentionnEes montrent ä l'Evi- dence le caractere particulierement compact de la structure ainsi rEalisEe. Ainsi qu'on peut le constater, ce caractere particulierement compact rEsulte non seulement d'une rEduc¬ tion des dimensions de la structure de stockage capacitif, mais surtout d'une rEduction dans les memes proportions des dimensions de la cavitE laser (et notamment de sa lon¬ gueur) , ce qui constitue un rEsultat tout ä fait inattendu et surprenant puisqu'il Etait gEnEralement admis jusqu'ä prEsent qu'il fallait des longueurs de cavitE relativement levEes pour obtenir une Emission stimulEe. L'obtention d'une Emission stimulEe est prEcisEment rendue possible dans le laser compact selon 1'invention gräce ä la conjonction heureuse de plusieurs facteurs interdEpendants : rEduction des dimensions du Systeme "ä transfert de charge" entraϊ- nant une rEduction de son impEdance caractEristique, laquel¬ le permet d'obtenir une ontEe en courant plus rapide dans la cavitE, ce qui se traduit par une augmentation du taux d'inversion de la population, laquelle augmentation entraϊ- ne ä son tour une rEduction de la longueur-seμil ä partir " de laquelle peut avoir lieu une Emission stimulEe.
[0055] A titre comparatif, un laser "ä transfert de charge" conventionnel (avec diElectrique Mylar) devrait, pour don- ner des Performances analogues (puissance crete identique) ä celles susmentionnEes, prEsenter un volume environ 100 fois plus grand et un poids environ 100 fois plus ElevE. Dans la forme d'exEcution sus-dEcrite, on peut par ailleurs envisager differentes variantes en ce qui concerne les Electrodes de dEcharge Equipant les bords longitudinaux
[0056] OMP s ,~fa^ WIIPPOO - 15 - de la cavite laser. Ainsi, on peut prEvoir d'utiliser de simples Electrodes arrondies sans adjonction d'Electrodes corona pour de faibles pressions de fonctionnement. De raeme, on peut prevoir d'utiliser de simples Electrodes planes Equi- pEes d'Electrodes corona pointant de leur face plane pour obtenir une ionisation homogene sous des pressions allant jusqu'ä 760 torr. On peut egalement prevoir d'utiliser des Electrodes arrandies recouvertes d'un ElEment radioactif tel que le Strontium 90, le rayonnement /3 ainsi dEgagE Etant charbe d'assurer la preionisation de la cavitE. Pour plus de dEtails sur ces diffErentes Electrodes, ainsi que sur cer- tains autres ElEments constitutifs du laser selon la prEsen- te invention, on pourra se reporter utilement au brevet suisse No (demande de brevet suisse No 8009/76) au no de la demanderesse, incorporE par rEfErence dans la prE- sente description.
[0057] Le dispositif reprEsente aux figures 7 ä 9 constitue üne Variante de l'agencement du type ä "transfert de charge simple" des figures 1 ä 6, suivant laquelle la cavitE laser est excitEe longitudinalement au lieu d'etre excitee transver- salement comme prEcEdemment, cette excitation longitudinale Etant par ailleurs obtenur au moyen d'un Systeme ä transfert de charge "du type coaxial" (analogie avec une infinitE de condensateurs en parallele) . Le dispositif reprEsentE sur ces figures 7 ä 9 est sen¬ siblement identique ä celui des figures 1 ä 6 (les Elements identiques restant affectEs des emes signes de rEfErence au dessin) , mis ä part le fait que les blocs diElectriques prE- sentent ici une forme cylindrique au lieu de parallElEpipE- dique (le boϊtier Etant donc Egalement cylindrique) et que la cavitE du laser est par ailleurs mEnagEe ä 1'intErieur de l'un des blocs diElectriques au lieu d'etre disposEe adjacen- te ä ce bloc comme prEcEdemment. De maniere plus dEtaillee, ce dispositif comprend un boϊtier mEtallique cylindrique 23', se composant d'un rEcipient cylindrique ouyert 4' fermE par un couvercle plat circulaire 4'a. A l1intErieur du boϊtier 23' se trouvent disposE, respectivement, un premier bloc diElectrique cylindrique 10' reposant par sa face infErieu- re sur le fond du rEcipient 4' (bloc 10* fait en un matEria ä haut coefficient diElectrique tel qu'une cEramique de ti- tanate de baryum) ; une premiere armature mEtallique circu- laire 11' recouvrant la face supErieure du bloc 10'; un second bloc diElectrique cylindrique 7' reposant sur 1'arma ture 11', d'Epaisseur sensiblement Egale ä la moitiE de cel du bloc 10' ; et une seconde armature mEtallique circulaire 12' recouvrant la face supErieure du bloc 7' (tout en resta ä distance du couvercle 4'a). L'ensemble constituE par le bloc diElectrique 7' et les armatures mEtalliques 12' et 11 est destinE ä constituer un premier condensateur C. (cet ensemble constituant en fait, Etant donnE son agencement pa ticulier, une infinitE de petits condensateurs C, , ä C, montEs en parallele, Equivalents ä un condensateur unique C cependant que l'ensemble constituE par le bloc diElectrique 10', l'armature mEtallique 11' et le fond du rEcipient 4' est destinE ä constituer un second condensateur C~ (cet en- semble constituant Egalement en fait une infinitE de petits condensateurs C_1 ä C«-, montEs en parallele, Equivalents ä un condensateur unique C_) . L'armature mEtallique 11', con- mune aux deux condensateurs C. et C~, est reliee Electrique ment au fond du rEcipient 4' par une rEsistance de Charge 9 laquelle est ici constituEe par un film rEsistif de carbone recouvrant toute la surface latErale du bloc- 10' (film rEsi tif de carbone forme avantageusement autour du bloc 10' une technique de dEpδt sous vide) .
[0058] Le bloc diElectrique cylindrique 10' comporte par ail- leurs un alEsage axial 5' le traversant de part en part, dans les extrEmitEs duquel viennent dEboucher, respectiveme une premiere Electrode annulaire 1' solidaire de l'armature mEtallique 11', et une seconde Electrode annulaire 2' soli¬ daire du fond du rEcipient mEtallique 4' . Cet alEsage axial 5' est destinE ä. constituer la cavite du laser, cependant que les Electrodes 1' et 2' sont destinEes ä constituer les
[0059] O
[0060] , A 1 »» * *- Electrodes chargEes d'assurer 1'Etablissement d'une dEcharge electrique longitudinale au sein de cette cavitE 5". A 1'in¬ tErieur de la cavite 5' se trouve en outre disposE un tube rectiligne cylindrique 28 fait en un matEriau isolant suppor- tant bien les hautes temperatures (tel que ceramique, BeO, SiO , Th02) , dont le rδle est de limiter la section droite de la cavitE laser (par un choix adequant du diametre intErieur de ce tube 28, on peut ainsi ajuster, ä pression constante dans la cavitE, 1'intensitE du courant Electrique circulant dans le plasma lors de la dEcharge) .
[0061] La cavitE laser 5' est par ailleurs respectivement Equi- pEe d'un premier miroir totalement rEflEchissant 20, fixE au fond de 1'Electrode annulaire 1'; et d'un second miroir semi-transparent 21, fixE au travers d'un alEsage axial per- ce dans le fond du rEcipient 4'. De maniere avantageuse, la cavitE 5' ainsi pourvue des miroirs 20 et 21 peut etre rEali- sEe de maniere etanche, de fagon ä constituer ainsi un tube scellE contenant le milieu actif gazeux ä exciter Electrique¬ ment. En Variante, on peut Egalement envisager que le milieu actif gazeux occupe ä la fois la cavitE 5' et l'interieur 29 du boϊtier 23', de fagon ä servir additionnellement d'isolant diElectrique (en prEvoyant un conduit de communication adE- quat entre la cavitE 5' et 1'intErieur 29 du boϊtier 23'.
[0062] Dans la forme d'exEcution sus-dEcrite, on peut par ail- leurs reconnaϊtre, respectivement, le doigt mEtallique 16 en contact avec l'armature mEtallique 12", destinE ä assurer par 1'intermEdiaire de la source 18 la Charge du condensateur C, ; et le bloc mEtallique ä 1'extrEmitE arrondie 13 coopErant avec l'armature 12' de fagon ä constituer 1'Eclateur E, des- tinE ä assurer par 1'intermEdiaire de 1'Electrode de dEclen¬ chement 14 la dEcharge du condensateur C, et le transfert de cette charge dans le condensateur C~, en vue de provoquer 1'Emission stimulEe dans la cavitE laser 51. Cet Eclateur E peut avantageusement etre entourE par une chambre de sEpara- tion circulaire 27 (faite en cEramique ou en matiere iso- - 18 - lante) , de fagon ä pouvoir opErer avec des gaz diffErents au niveau de 1'Eclateur E et dans le boϊtier 23' et/ou la cavitE 5* (cette chambre 27 pouvant Etre supprimEe dans le cas oü on desire opErer avec des gaz identiques) . En Variante, et dans le cas oü la cavitE 5' est entie- rement Etanche, on peut aussi envisager que 1'intErieur 29 du boϊtier 23 soit occupE par un diElectrique liquide (tel que huile, eau distillEe) , 1'Eclateur E pouvant alors lui aussi etre plongE dans le meme liquide diElectrique, et servir alors d'Eclateur ä commutation ultra rapide. II con- vient alors dans un tel cas de supprimer 1'Electrode de dE¬ clenchement 14 ainsi que 1'entrEe de gaz 25 et le tube iso¬ lant 14a, 1'Eclateur E Etant alors auto-amorgable, et le claquage se produisant au moment oü la tension aux bornes de 1'Eclateur E dEpasse la tension de claquage du diElectri que liquide.
[0063] La figure 9 reprEsente le schEma du circuit Electri¬ que Equivalent du laser reprEsentE aux figures 7 et 8. Le fonctionnement d'un tel laser est analogue ä celui prEcedem ent dEcrit, mis ä part le fait que la dEcharge Electrique au sein de la cavitE laser 5" s'Etablit ici longitudinale¬ ment au lieu de transversalement comme prEcEdemment.
[0064] Dans les formes d'exEcution dEcrites jusqu'ä prEsent, il est possible d'envisager des variantes diverses en ce qui concerne 1'Eclateur chargE d'assurer l'amorgage du pro- cessus de dEcharge. -On peut ainsi tout d'abord prEvoir d'u¬ tiliser un Eclateur- ä milieu diElectrique gazeux, ce milieu gazeux pouvant etre, comme expliquE plus haut, de nature diffErente et/ou sous une pression diffSrente du milieu ac- tif gazeux stationnant dans la cavitE laser. En ce qui con¬ cerne cet Eclateur ä milieu gazeux, on peut par ailleurs prEvoir d'utiliser soit un type d'Eclateur comportant une Electrode de dEclenchement, soit un type plus simple ne comportant pas d'Electrode de dEclenchement. On peut Egale- ent pεevoir d'utiliser un Eclateur ä milieu diElectrique liquide ou solide au lieu de gazeux.
[0065] OMP
[0066] 'fa - 19 _
[0067] Dans le laser selon 1'invention, l'utilisation d'un Eclateur tel que ceux susmentionnes n'est par ailleurs pas obligatoire, et on peut tres bien envisager de le remplacer par tout autre Organe de dEcharge capable d'assurer une fonc- tion Equivalente (ä savoir mise en court-circuit momentanEe de deux armatures, de fagon ä operer un transfert de Charge entre deux condensateurs. Comme autres organes de decharge possibles, on peut ainsi envisager d'utiliser des commuta- teurs tels que des commutateurs ä semi-conducteur (prEsen- tant l'avantage d'occasionner une dissipation d' nergie plus faible) ou des commutateurs ä thyratron. Les commutateurs ä thyratron prEsentent notamment l'avantage de permettre des frEquences de rEpEtition plus ElevEes, ainsi qu'une grande prEcision dans le dEclenchement (tout en prEsentant une du- rEe de vie tres ElevEe) .
[0068] Le laser selon 1'invention prEsente un certain nombre d'avantages, dont deux des principaux ont trait respective¬ ment ä son caractere particulierement compact, ainsi qu'ä ses excellentes caractEristiques Electriques. Le caractere particulierement compact permet notamment d'obtenir, pour des puissances cretes analogues ä celles des lasers conven- tionnels, une rEduction considErable de 1'encombrement (ou inverse ent, pour un encombrement analogue ä celui des la¬ sers conventionnels, des puissances cretes considErablement plus ElevEes) .
[0069] Les excellentes caractEristiques Electriques du laser selon 1'invention se traduisent par ailleurs par une rEduc¬ tion notable aussi bien de 1'impEdance caracteristique de ligne que de 1'impEdance totale du circuit : cette faible valeur de 1'impEdance caractEristique de ligne permet un fonctionnement ä haute pression, lequel permet d'obtenir des impulsions de tres courte durEe (impulsions picosecondes) en meme temps qu'il entraϊne un gain supple entaire sur 1'impEdance totale du circuit. Les facteurs susmentionnEs permettent en outre, en donnant une vitesse de pompage plus ElevEe, d'obtenir un meilleur rendement quantique de
[0070] Ifu R'EΛ;
[0071] _OMPI_ - - pompage. Un tel type de laser prEsente par ailleurs l'avan¬ tage de possEder une tres bonne rigiditE mEcanique ainsi qu'une tres bonne tenue aux cycles thermiques. L'utilisatio de matEriaux cEramiques prEsente en outre 1'avantage addi- tionnel, par rapport aux diElectriques classiques, de n'etr pas destructible par 1'Ionisation corona, d'avoir une durEe de vie relativement longue et de prEsenter une bonne insen- sibilitE vis-a-vis des rayonnements radioactifs (possibili- tE d'utilisation dans un environnement radioactif) . Ce type de laser est par ailleurs susceptible de fonctionner sous des frEquences de rEcurrence relativement ElevEes (en prE- voyant au besoin un balayage de gaz transversal) tout en pr sentant un facteur d1angle de pente relativement faible ä d telles frEquences. Enfin, ce type de laser permet notamment dObtenir des impulsions laser de durEe plus ElevEe, ainsi qu'un rendement amEliorE (de l'ordre de 10 ä 20 %) par rap¬ port ä celui obtenu avec les lignes Blumlein aux grandes fr quences de rEpEtition.
[0072] Le laser selon 1'invention est susceptible d'applica- tions tres diverses dans des domaines variEs tels que :
[0073] - source d'excitation pour la photo-chimie ;
[0074] - analyse de plasma pour la recherche thermonuclEaire ;
[0075] - outil de recherche pour 1'Etüde de la durEe de vie de molEcules excitEes ; - spectromEtrie Raman ;
[0076] - altimetre d'approche pour l'aviation ;
[0077] - pompage de laser liquide ( λ variant de 3500 ä 11800 £) ;
[0078] - Eclateur THT dEclenchE au moyen d'UV , - tElEmetre portatif ä haute rEsolution ;
[0079] - Eclairage de cible (repErage, tirs) ;
[0080] - dEtecteur de pollution atmosphErique (radars laser Raman) ;
[0081] - mesure d'aErosol et d'humiditE relative dans l'atmos- phere ;
[0082] - moyen de communicatϊon sous-marine ; BUR
[0083] OM fa W1P - -
[0084] - moyen de communication ä longue distance ( > 20 km) en basse frequence (jusqu'ä 20 kHz) ;
[0085] - cellule de Kerr ultra-rapide miniature (Electroopti- que) ; - generateur de lumiere coherente ä 5401 Ä de grande puissance ;
[0086] - utilisation en opto-Electronique
[0087] - source de commutation pour les interrupteurs de Auston ; - etc ...
[0088] OMPI
权利要求:
Claims - 22 - EVENDICATIONS
1. Laser impulsionnel ä milieu actif gazeux excitE electriquement, caracterisE par le fait qu'il comprend :
- un premier et un second blocs faits en un matEriau ä haut coefficient diElectrique, comportant chacun deux fa ces d'extrEmitEs, lesdits blocs Etant agencEs l'un par rap port ä l'autre de fagon ä se faire vis-ä-vis par l'une de leurs faces d'extrEmitE en dElimitant un espace Etroit en¬ tre lesdites faces d'extrEmitEs,
- une premiere armature mEtallique s'Etendant dans le dit espace etroit entre lesdits blocs diElectriques tout e restant en contact avec l'une et l'autre faces d'extrEmitE desdits blocs se faisant vis-ä-vis, ladite premiSre armatu re mEtallique comportant au moins une portion faisant sail lie dans la direction dudit second bloc diElectrique, - une seconde armature mEtallique disposEe contre l'a tre face d'extrEmitE dudit premier bloc diElectrique oppos ä ladite premiere armature, constituant en coopEration ave ledit premier bloc diElectrique et ladite premiere armatu- re au moins un premier condensateur, - une troisiEme armature mEtallique disposEe contre l'autre face d'extrEmitE dudit second bloc diElectrique op posEe ä ladite premiEre armature, constituant en coopEra¬ tion avec ledit second bloc diElectrique et ladite premiEr armature au moins un second condensateur, ladite troisieme armature mEtallique comportant au moins une portion faisan saillie en direction de ladite portion saillante de ladite premiEre armature mEtallique, l'espace ainsi dElimitE entr lesdites portions saillantes desdites premiere et troisiem armatures constituant la cavitE dudit laser destinEe ä con tenir ledit milieu actif gazeux, et les extrEmitEs libres desdites portions saillantes constituant les Electrodes chargEes d'assurer l'excitation Electrique dudit milieu actif gazeux,
WI - 23 -
- des moyens pour maintenir ledit milieu actif gazeux dans ladite cavite,
- une rEsistance de charge connectEe entre lesdites premiere et troisieme armatures mEtalliques, ladite seconde
5 armature mEtallique Etant par ailleurs destinee ä etre re- liEe ä l'un des pδles d'une source haute tension dont l'au¬ tre pδle est destinE ä etre reliE ä ladite troisieme arma¬ ture mEtallique, de fagon ä assurer la charge Electrique du¬ dit premier condensateur,
10 - et un organe de dEcharge dEclenchable connectE entre lesdites seconde et troisieme armatures, destinE ä assurer la mise en court-circuit au moins momentanee de ces armatures, de fagon ä entralner un transfert de charge dudit premier au- dit second condensateur, ledit transfert de Charge donnant
15 alors lieu ä 1'Etablissement entre lesdites Electrodes de ladite cavitE laser d'une diffErence de potentiel suffisam- ment rapide et ElevEe pour engendrer une Emission stimulEe au sein de cette cavit .
2. Laser selon la revendication 1, caractErisE par le 20 fait que l'Epaisseur dudit second bloc diElectrique est choisie supErieure ä celle dudit premier bloc diElectrique.
3. Laser selon la revendication 2, caractErisE par le fait que l'Epaisseur dudit second bloc diElectrique est prE- fErentiellement choisie Egale ä environ le double de celle
25 dudit premier bloc.
4. Laser selon la revendication 1, caractErisE par le fait que ladite seconde armature mEtallique est destinEe ä etre reliee ä l'un des pδles de ladite source haute tension par 1*intermediaire d'une rEsistance Electrique.
30 5. Laser selon la revendication 1, caractErisE par le fait que lesdits premier et second blocs diElectriques prE- sentent une forme parallElEpipEdique et que ladite cavitE laser est agencEe le long d'une des faces latErales dudit second bloc parallElEpipEdique, lesdites portions saillan-
35 tes desdites premiere et troisieme armatures mEtalliques Etant constituEes par des rebords longitudinaux de ces - 24 - armatures pointant l'un vers l'autre.
6. Laser selon la revendication 5, caractErisE par le fait que les extrEmitEs libres desdits rebords longitudi- naux prEsentent une forme arrondie.
7. Laser selon la revendication 5, caractErisE par le fait que lesdits rebords longitudinaux de ladite cavitE sont de plus EquipEs d'Electrodes corona servant ä assurer une prEionisation dudit milieu actif gazeux.
8. Laser selon la revendication 1, caractErisE par le fait que lesdits premier et second blocs diElectriques prE sentent une forme cylindrique, et que ledit second bloc cy lindrique comporte un alEsage axial le traversant de part en part, ledit alEsage axial constituant la cavitE laser dans chacune des extrEmitEs de laquelle viennent dEboucher lesdites portions saillantes desdites premiere et troisiem armatures.
9. Laser selon la revendication 1, caractErisE par le fait que le matEriau constitutif desdits blocs diElectriqu possede un coefficient diElectrique au moins Egal ä 80.
10. Laser selon la revendication 9, caractErisE par l fait que ledit matEriau diElectrique se prEsente sous la forme d'une cEramique.
.
11. Laser selon la revendication 9, caractErisE par l fait que ledit matEriau diElectrique est constituE par un composE ä base de titanate de baryum.
12. Laser selon la revendication 9, caractErisE par l fait que ledit matEriau diElectrique est constituE par un composE ä base dOxyde de titane.
13. Laser selon la revendication 9, caractErisE par l fait que ledit matEriau diElectrique est du KH-PO., ledit matEriau Etant maintenu au voisinage de sa tempErature de Curie par 1'intermEdiaire de cellules Peltier.
14. Laser selon la revendication 1, caractErisE par l fait que ledit milieu actif gazeux prEsente une pression
-3 comprise entre 10 Torr et 30 bars.
15. Laser selon la revendication 1, caractErisE par l
Ü
O fa -">,,-^ "Ϊ - -
fait que ledit milieu actif gazeux est constitue par de l'azote.
16. Laser selon la revendication 1, caractErisE par le fait que ledit milieu actif gazeux est constituE par de l'air ä la pression atmosphErique.
17. Laser selon la revendication 1, caractErisE par le fait que ledit organe de dEcharge dEclenchable est constituE par un Eclateur dont l'une des bornes est constituEe par une portion de ladite seconde armature, l'autre borne Etant en contact Electrique avec ladite troisieme armature.
18. Laser selon la revendication 16, caractErisE par le fait que ledit eclateur est un Eclateur ä milieu diElectri¬ que gazeux, ledit laser comprenant des moyens pour maintenir ledit milieu diElectrique gazeux dans l'espace situE entre les bornes dudit Eclateur.
19. Laser selon la revendication 18, caracterisE par le fait que ledit gaz servant de milieu dielectrique pour ledit Eclateur est diffErent dudit gaz remplissant ladite cavitE du laser, les pressions desdits deux gaz Etant egalement sus- ceptibles d'etre diffErentes.
20. Laser selon la revendication 18, caractErisE par le fait que ledit gaz servant de diElectrique pour ledit Ecla¬ teur et ledit gaz remplissant ladite cavitE sont identiques.
21. Laser selon la revendication 18, caractErisE par le fait que ledit Eclateur est autodEclenchable.
22. Laser selon la revendication 18, caractErisE par le fait que ledit Eclateur comporte une Electrode de dEclenche¬ ment.
23. Laser selon la revendication 1, caracterisE par le fait que ledit organe de dEcharge est constituE par un com- mutateur.
24. Laser selon la revendication 1, caracterisE par le fait que ledit commutateur est un commutateur ä thyratrons.
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Goldberg et al.1975|Transform‐limited picosecond pulse generation in a synchronous mode‐locked dye laser pumped by doubled Nd: YAG
US4367553A|1983-01-04|Pulse laser with an electrically excited gaseous active medium
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公开号 | 公开日
DE2861391D1|1982-01-28|
JPS55500012A|1980-01-17|
EP0007299B1|1981-11-25|
EP0007299A1|1980-01-23|
US4367553A|1983-01-04|
引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
DE2528174A1|1975-06-24|1976-12-30|Hans Dipl Phys Dr Salzmann|Laser mit wanderwellenanregung|
FR2317788A1|1975-07-09|1977-02-04|Zeiss Jena Veb Carl|Dispositif pour l'excitation electrique de lasers a gaz emettant par impulsions|
FR2356297A1|1976-06-23|1978-01-20|Battelle Memorial Institute|Laser impulsionnel a milieu actif gazeux et a excitation electrique transversale|WO1980001439A1|1978-12-29|1980-07-10|Battelle Memorial Institute|Laser impulsionnel a milieu actif gazeux excite electriquement|
EP0052714A1|1980-11-22|1982-06-02|ELTRO GmbH Gesellschaft für Strahlungstechnik|TE-Laser-Verstärker|
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WO1989010646A1|1988-04-26|1989-11-02|Siemens Aktiengesellschaft|Excitation circuit for gas lasers with a multichannel pseudo-spark switch and use of said circuit|
GB2227877A|1984-12-26|1990-08-08|Hughes Aircraft Co|Lasers.|ZA7503563B|1975-06-03|1977-01-26|South African Inventions|A laser and its method of operation|IT1148956B|1982-06-15|1986-12-03|Selenia Industire Elettroniche|Laser a gas impulsanti in struttura sigillata|
US5027366A|1988-01-15|1991-06-25|Cymer Laser Technologies|Compact excimer laser|
US5029177A|1988-01-15|1991-07-02|Cymer Laser Technologies|Compact excimer laser|
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US5048041A|1988-01-15|1991-09-10|Cymer Laser Technologies|Compact excimer laser|
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US5018162A|1988-01-15|1991-05-21|Cymer Laser Technologies|Compact excimer laser|
US5336975A|1992-10-20|1994-08-09|Hughes Aircraft Company|Crossed-field plasma switch with high current density axially corrogated cathode|
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法律状态:
1979-07-12| AK| Designated states|Designated state(s): JP US |
1979-07-12| AL| Designated countries for regional patents|Designated state(s): CH DE FR GB SE |
优先权:
申请号 | 申请日 | 专利标题
CH1597577||1977-12-23||
CH15975/77||1977-12-23||JP50018178A| JPS55500012A|1977-12-23|1978-12-22||
DE7979900012T| DE2861391D1|1977-12-23|1978-12-22|Electrically excited impulse laser having an active gas medium|
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